Баранський, П.І.; Бабич, В.М.; Гайдар, Г.П.
(Доповіді НАН України, 2013)
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє ...